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InP基板上的Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅴ多层结构 专利
专利号: CN1965452A, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2007-05-16
作者:  孙晓光;  托马斯·J·米勒;  迈克尔·A·哈斯
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Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet 专利
专利号: US6590920, 申请日期: 2003-07-08, 公开日期: 2003-07-08
作者:  MCELHINNEY, MARK;  COLOMBO, PAUL
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半導体発光素子 专利
专利号: JP1995283489A, 申请日期: 1995-10-27, 公开日期: 1995-10-27
作者:  石橋 晃
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