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Terahertz laser, terahertz source and use of such a terahertz laser 专利
专利号: US10333267, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
作者:  LAMPIN, JEAN-FRANCOIS;  PAGIES, ANTOINE
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Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利
专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
作者:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO
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MBE growth of an algan layer or AlGaN multilayer structure 专利
专利号: US7504321, 申请日期: 2009-03-17, 公开日期: 2009-03-17
作者:  BOUSQUET, VALERIE;  HOOPER, STEWART EDWARD;  BARNES, JENNIFER MARY;  JOHNSON, KATHERINE L.;  HEFFERNAN, JONATHAN
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Vcsel 专利
专利号: GB2407434A, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27
作者:  VICTORIA, BROADLEY;  JENNIFER, MARY, BARNES
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Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD) 专利
专利号: US6645885, 申请日期: 2003-11-11, 公开日期: 2003-11-11
作者:  CHUA, SOO JIN;  LI, PENG;  HAO, MAOSHENG;  ZHANG, JI
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Horizontal reactor for compound semiconductor growth 专利
专利号: US6214116, 申请日期: 2001-04-10, 公开日期: 2001-04-10
作者:  SHIN, HYUN KEEL
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Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same 专利
专利号: US6060335, 申请日期: 2000-05-09, 公开日期: 2000-05-09
作者:  RENNIE, JOHN;  HATAKOSHI, GENICHI;  ONOMURA, MASAAKI
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量子井戸構造をもつ半導体装置 专利
专利号: JP2964161B2, 申请日期: 1999-08-13, 公开日期: 1999-10-18
作者:  杉山 芳弘;  北田 秀樹
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Semiconductor structure and semiconductor laser device 专利
专利号: JP1991179790A, 申请日期: 1991-08-05, 公开日期: 1991-08-05
作者:  KONDO MASAHIKO
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Large-output semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利号: JP1991014280A, 申请日期: 1991-01-22, 公开日期: 1991-01-22
作者:  KOMAZAKI IWAO
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