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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种相变存储材料及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102227015A, 申请日期: 2011-10-26, 公开日期: 2011-10-26 吕业刚; 宋三年; 宋志棠; 刘波; 饶峰; 吴良才 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/01/06 Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157681A, 申请日期: 2011-08-17, 公开日期: 2011-08-17 宋三年; 宋志棠; 吕业刚 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102134698A, 申请日期: 2011-07-27, 公开日期: 2011-07-27 彭程; 吴良才; 饶峰; 宋志棠; 刘波; 周夕淋; 朱敏 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/01/06 用于相变存储器的Si-Sb-Te材料 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130298A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 饶峰; 宋志棠; 吴良才; 任堃; 周夕淋 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102082228A, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01 吕业刚; 宋三年; 宋志棠 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/01/06 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101924180A, 申请日期: 2010-12-22, 公开日期: 2010-12-22 周夕淋; 吴良才; 宋志棠; 饶峰 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/01/06 导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101615655, 申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2009-12-30 宋三年; 宋志棠; 刘波; 吴良才; 封松林 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/01/06 一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101572291, 申请日期: 2009-11-04, 公开日期: 2009-11-04 吴良才; 宋志棠 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101488557, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22 凌云; 龚岳峰; 宋志棠; 封松林 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/01/06 用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101488558, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22 凌云; 龚岳峰; 宋志棠; 封松林 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06