Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途 | |
宋三年 ; 宋志棠 ; 吕业刚 | |
2011-08-17 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN102157681A |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明提供一种Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途,其中,所述Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料包含:重量百分比为2-30%的介质材料HfO2和重量百分比为70-98%的Sb2Te3相变材料,由于Sb2Te3相变材料与HfO2在纳米尺度的均匀复合,相变材料分布在介质材料HfO2形成的纳米框架结构中,一方面抑制了相变材料的结晶,提升了材料的晶化温度;另一方面相变材料的挥发得到了有效的抑制,组分偏析情况得到明显改善,增加了材料的稳定性。这种新型纳米复合相变薄膜应用到存储器中,可使 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2011-08-17 |
申请日期 | 2010-08-24 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 201010263978.9 |
专利代理 | 李仪萍 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49674] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋三年,宋志棠,吕业刚. Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途. CN102157681A. 2011-08-17. |
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