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| 三维半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201510680212.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-24
作者: 叶甜春 ; 霍宗亮
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201510514552.9, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2016-01-06
作者: 叶甜春
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310282657.7, 申请日期: 2017-05-24, 公开日期: 2015-01-14
作者: 叶甜春; 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑
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| 模数转换器 专利
专利号: CN201210050674.3, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2013-09-11
作者: 陈大鹏; 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑; 金智
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| 鳍型场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201310286545.9, 申请日期: 2016-12-28, 公开日期: 2015-01-14
作者: 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑; 陈大鹏; 叶甜春
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| 石墨烯器件 专利
专利号: CN201210050646.1, 申请日期: 2016-08-03, 公开日期: 2013-09-11
作者: 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑; 金智; 刘新宇
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| 半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201210206401.3, 申请日期: 2016-03-02, 公开日期: 2014-01-15
作者: 叶甜春; 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑; 赵超
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210065168.1, 申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2013-09-18
作者: 叶甜春; 朱慧珑; 李春龙; 罗军; 钟汇才
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| P型MOSFET的制造方法 专利
专利号: US9196706, 申请日期: 2015-11-24, 公开日期: 2014-06-05
作者: 徐秋霞; 叶甜春; 朱慧珑; 周华杰; 许高博
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| 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利
专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07
作者: 赵超; 罗军; 陈大鹏; 叶甜春
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