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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Boosted efficiency of conductive metal oxide-free pervoskite solar cells using poly(3-(4-methylamincarboxylbutyl)thiophene) buffer layers 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 28 作者:  Wen, Rongjiang;  Xia, Yonggao;  Huang, Huihui;  Wen, Shuangchun;  Wang, Jinzhao 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/12/16 PEROVSKITE  ELECTRODE  PEDOTPSS  LENGTHS  FILMS   Solution-processed amorphous Ga2O3:CdO TFT-type deep-UV photodetectors 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 卷号: 116, 期号: 19 作者:  Xiao, Xi;  Liang, Lingyan;  Pei, Yu;  Yu, Jiahuan;  Duan, Hongxiao 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/12/16 THIN-FILM TRANSISTORS  GALLIUM OXIDE  BETA-GA2O3  PERFORMANCE   Controlling Dzyaloshinskii-Moriya Interaction via Chirality Dependent Atomic-Layer Stacking, Insulator Capping and Electric Field 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8 作者:  Cros, Vincent;  Yang, Hongxin;  Fert, Albert;  Chshiev, Mairbek;  Boulle, Olivier 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/12/04 Magnetic Skyrmions  Domain-walls  Weak Ferromagnetism  Spin-torque  Dynamics  Surfaces  Exchange  Lattice  Metals  Driven   Aqueous Solution Induced High-Dielectric-Constant AlOx : Y Films for Thin-Film Transistor Applications 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7566-7572 作者:  Liang, Lingyan;  Wu, Weihua;  Cao, Hongtao;  Lan, Linfeng;  Yao, Meiyi 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/12/04 Amorphous Oxide Semiconductors  Field-effect Transistors  Low-temperature  Gate Dielectrics  Low-voltage  Photochemical Activation  Electrical Performance  Combustion Synthesis  High-mobility  Electronics   Aqueous Solution Induced High-Dielectric-Constant AlOx : Y Films for Thin-Film Transistor Applications 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7566-7572 作者:  Wu, Weihua;  Liang, Yu;  Cao, Hongtao;  Lan, Linfeng;  Yao, Meiyi 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/12/04 Amorphous Oxide Semiconductors  Field-effect Transistors  Low-temperature  Gate Dielectrics  Low-voltage  Photochemical Activation  Electrical Performance  Combustion Synthesis  High-mobility  Electronics   Ni-Al-O diffusion barrier layer for high-kappa metal-oxide-semiconductor capacitor 期刊论文 THIN SOLID FILMS, 2011, 卷号: 519, 期号: 10, 页码: 3358-3362 作者:  Wu D. Q.;  Jia R.;  Yao J. C.;  Zhao H. S.;  Chang A. M. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/11/07 High-kappa gate dielectrics  Leakage current density  Er(2)O(3)  Ni-Al-O  Diffusion barrier layer   First-principles theory of tunneling currents in metal-oxide-semiconductor structures 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: - 作者:  Zhang, X. -G.;  Lu, Zhong-Yi;  Pantelides, Sokrates T.;  Zhang, XG , Oak Ridge Natl Lab, Ctr Nanophys Mat Sci, Oak Ridge, TN 37831 USA 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/08/02 Ultrathin Gate Oxides  Band-structure  Electron-gas  States  Junctions  Formula