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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Aqueous Solution Induced High-Dielectric-Constant AlOx : Y Films for Thin-Film Transistor Applications 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7566-7572 作者:  Liang, Lingyan;  Wu, Weihua;  Cao, Hongtao;  Lan, Linfeng;  Yao, Meiyi 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/12/04 Amorphous Oxide Semiconductors  Field-effect Transistors  Low-temperature  Gate Dielectrics  Low-voltage  Photochemical Activation  Electrical Performance  Combustion Synthesis  High-mobility  Electronics   Aqueous Solution Induced High-Dielectric-Constant AlOx : Y Films for Thin-Film Transistor Applications 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7566-7572 作者:  Wu, Weihua;  Liang, Yu;  Cao, Hongtao;  Lan, Linfeng;  Yao, Meiyi 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/12/04 Amorphous Oxide Semiconductors  Field-effect Transistors  Low-temperature  Gate Dielectrics  Low-voltage  Photochemical Activation  Electrical Performance  Combustion Synthesis  High-mobility  Electronics   Ni-Al-O diffusion barrier layer for high-kappa metal-oxide-semiconductor capacitor 期刊论文 THIN SOLID FILMS, 2011, 卷号: 519, 期号: 10, 页码: 3358-3362 作者:  Wu D. Q.;  Jia R.;  Yao J. C.;  Zhao H. S.;  Chang A. M. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/11/07 High-kappa gate dielectrics  Leakage current density  Er(2)O(3)  Ni-Al-O  Diffusion barrier layer   First-principles theory of tunneling currents in metal-oxide-semiconductor structures 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: - 作者:  Zhang, X. -G.;  Lu, Zhong-Yi;  Pantelides, Sokrates T.;  Zhang, XG , Oak Ridge Natl Lab, Ctr Nanophys Mat Sci, Oak Ridge, TN 37831 USA 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/08/02 Ultrathin Gate Oxides  Band-structure  Electron-gas  States  Junctions  Formula