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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characteristics of HfxSiyO films grown on Si0.8Ge0.2 layer by electron-beam evaporation 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: 122906-122906 Cheng, XH; Song, ZR; Yu, YY; Yang, WW; Shen, DS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 GATE DIELECTRICS  HFO2  OXIDATION  SILICON   Germanium movement mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by modified Ge condensation 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 64504-64504 Di, ZF; Chu, PK; Zhang, M; Liu, WL; Song, ZT; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/03/24 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  STRAINED-SI  MOBILITY ENHANCEMENT  OXIDATION  ELECTRON   Self-organized Ge nanocrystals embedded in HfAlO fabricated by pulsed-laser deposition and application to floating gate memory 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: 13110-13110 Liu, WL; Lee, PF; Dai, JY; Wang, J; Chan, HLW; Choy, CL; Song, ZT; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  DEVICE  HFO2  DIELECTRICS  OXIDATION  SIO2   Comparative study of SOI/Si hybrid substrates fabricated using high-dose and low-dose oxygen implantation 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 37, 期号: 13, 页码: 1732-1735 Dong, YM; Chen, M; Chen, J; Wang, X; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 BURIED OXIDE LAYERS  ION-IMPLANTATION  SILICON  OXIDATION   Structural and electrical characteristics of Ge nanoclusters embedded in Al2O3 gate dielectric 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 82, 期号: 26, 页码: 4708-4710 Wan, Q; Lin, CL; Liu, WL; Wang, TH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 SI NANOCRYSTALS  SILICON-NITRIDE  LAYERS  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  OXIDATION  EMISSION