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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  DEPOSITION  LAYERS  FILMS   Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134 Xu XL; Liu HT; Shi CS; Zhao YW; Fung S; Beling CD 收藏  |  浏览/下载：127/15  |  提交时间：2010/08/12 LIGHT-EMITTING DIODES  GALLIUM NITRIDE  YELLOW LUMINESCENCE  ELECTRON  PHOTOLUMINESCENCE  EPILAYERS  VACANCIES  INTERFACE  MECHANISM  ENERGY   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS   Study of microstructure of high stability hydrogenated amorphous silicon films by Raman scattering and infrared absorption spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 3, 页码: 336-338 Sheng SR; Liao XB; Kong GL; Han HX 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 A-SI-H  CRYSTALLINE SILICON  DEPOSITION  SPECTRA  QUALITY