CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires 期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：100/6  |  提交时间：2011/07/05
Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates 期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903
Li MC; Qiu YX; Liu GJ; Wang YT; Zhang BS; Zhao LC
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/08
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:  Wang Y;  Pan JQ
收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2010/03/08
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：193/43  |  提交时间：2010/03/08
Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD 期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119
作者:  Liang S;  Pan JQ
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11
Growth of thicker zinc-blende CrSb layers by using (In,Ga)As buffer layers 期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.093902
Deng JJ; Zhao JH; Bi JF; Niu ZC; Yang FH; Wu XG; Zheng HZ
收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2010/04/11
Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11
Silicon doping induced increment of quantum dot density 期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6314-6318
作者:  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12
Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire 期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：1038/2  |  提交时间：2010/08/12
Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文
solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074
作者:  Han PD
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace