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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural and electrical properties of (110) ZnO epitaxial thin films on (001) SrTiO3 substrates 期刊论文 solid state communications, 2008, 卷号: 148, 期号: 39939, 页码: 247-250 Wu, YL; Zhang, LW; Xie, GL; Ni, J; Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/03/08 ZnO thin films  Pulsed laser deposition  Electrical resistance   As-doped p-type ZnO films by sputtering and thermal diffusion process 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 4, 页码: art.no.043704 Wang P (Wang Peng); Chen NF (Chen Nuofu); Yin ZG (Yin Zhigang); Yang F (Yang Fei); Peng CT (Peng Changtao); Dai RX (Dai Ruixuan); Bai YM (Bai Yiming) 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/04/11 RAY-PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  INAS SURFACES  FABRICATION  DEPOSITION  LAYERS  OXIDE   Structural characterization of stable amorphous silicon films 期刊论文 solid state communications, 2002, 卷号: 122, 期号: 5, 页码: 283-286 Zhang SB; Kong GL; Wang YQ; Sheng SR; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductors  thin film  photoconductivity and photovoltaics  CONDUCTIVITY  SI   Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  DEPOSITION  LAYERS  FILMS   Surface acoustic wave velocity and electromechanical coupling coefficient of GaN grown on (0001) sapphire by metal-organic vapour phase epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 1418-1419 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：84/7  |  提交时间：2010/08/12 THIN-FILMS  DEPOSITION  DIODES   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：104/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION   Electronic structures of GaAs/AlAs lateral superlattices 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 1998, 卷号: 10, 期号: 28, 页码: 6311-6319 Li SS; Zhu BF 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 EFFECTIVE-MASS THEORY  QUANTUM WIRES  OPTICAL ANISOTROPY  GAS  DEPOSITION  EXCITONS  GROWTH  STATES  WELLS  ALAS   Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 109-111 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang J; Wang D; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 SINGLE CRYSTALLINE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  GALLIUM NITRIDE  001 SILICON  SAPPHIRE  SI  DEPOSITION  ALN