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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [1]
2003 [1]
1990 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
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Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 041001
作者:
Hao GD
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浏览/下载:129/28
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提交时间:2010/03/08
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
QUANTUM-WELLS
LASER-DIODES
ORIENTATION
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
ANISOTROPY
SEMIPOLAR
SAPPHIRE
FILMS
Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:1038/2
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提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
RAMAN-SCATTERING
ALPHA-GAN
ALN
LAYERS
STRAIN
WURTZITE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA OF STRAINED HETEROSTRUCTURE OF INP ON GAAS SUBSTRATE GROWN BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
期刊论文
chinese physics letters, 1990, 卷号: 7, 期号: 11, 页码: 522-525
TENG D
;
ZHUANG WH
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
BAND-GAP
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