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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   Mg acceptor energy levels in AlxInyGa1-x-yN quaternary alloys: An approach to overcome the p-type doping bottleneck in nitrides 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 11, 页码: art. no. 113202 Wang, F; Li, JB; Li, SS; Xia, JB; Wei, SH 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/03/08 SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES  AUGMENTED-WAVE METHOD  BASIS-SET  SEMICONDUCTORS  LATTICE