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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effective n-type doping strategy through codoping Si-Al-F-N in aluminum nitride 期刊论文 applied physics express, 2014, 卷号: 7, 期号: 11, 页码: 111004 Wang, Zhiguo; Li, Jingbo; Fu, Yong Qing 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/03/20 Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：33/2  |  提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP  INDIUM NITRIDE  BUFFER LAYER  DEPENDENCE  SAPPHIRE  MOCVD   The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD 期刊论文 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 Luo, WJ; Wang, XL; Guo, LC; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Li, JP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：83/1  |  提交时间：2010/03/08 gallium nitride crack  low temperature aluminum nitride  interlayer  silicon   Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 109-111 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang J; Wang D; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 SINGLE CRYSTALLINE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  GALLIUM NITRIDE  001 SILICON  SAPPHIRE  SI  DEPOSITION  ALN   Electronic properties of zinc-blende GaN, AlN, and their alloys Ga1-xAlxN 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 1, 页码: 188-194 Fan WJ; Li MF; Chong TC; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/17 GALLIUM NITRIDE  BAND-GAPS  PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS  ALUMINUM NITRIDE  SEMICONDUCTORS  GROWTH  INSULATORS  CRYSTALS  SILICON  DIAMOND