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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [2]
2010 [2]
2007 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.20703
作者:
Yang XH
;
He JF
收藏
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浏览/下载:57/7
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提交时间:2011/07/05
V-groove substrate
quantum wires
GaAs
EPITAXIAL-GROWTH
TRANSISTOR
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:33/2
  |  
提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
The effect of an electric field on the nonlinear response of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of optics, 2010, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: art. no. 055203
Huang X (Huang X.)
;
Zhang XH (Zhang X. H.)
;
Zhu YG (Zhu Y. G.)
;
Li T (Li T.)
;
Han LF (Han L. F.)
;
Shang XJ (Shang X. J.)
;
Ni HQ (Ni H. Q.)
;
Niu ZC (Niu Z. C.)
收藏
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浏览/下载:79/6
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提交时间:2010/08/17
InAs quantum dots
nonlinear refraction
reflection Z-scan
dc electric field effect
ELECTROOPTIC PROPERTIES
SATURABLE ABSORBER
OPTICAL-PROPERTIES
WELL STRUCTURES
SINGLE-BEAM
BAND-GAP
ELECTROABSORPTION
ABSORPTION
REFLECTION
DEPENDENCE
The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy
期刊论文
optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 7, 页码: 1510-1513
作者:
Zhang XH
收藏
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浏览/下载:145/2
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提交时间:2010/04/22
InAs quantum dots
Nonlinear refraction
Reflection Z-scan
REFLECTION Z-SCAN
OPTICAL NONLINEARITIES
2-PHOTON ABSORPTION
SATURABLE ABSORBER
WELL STRUCTURES
SINGLE-BEAM
ELECTROABSORPTION
DISPERSION
SOLIDS
GAAS
1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432
Wang XL
;
Cheng TS
;
Ma ZY
;
Hu G
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Luo WJ
收藏
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浏览/下载:95/0
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提交时间:2010/03/29
AlGaN/GaN
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