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科研机构
半导体研究所 [8]
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会议论文 [1]
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2011 [1]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:33/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Curvature Correction of FWHM in the X-Ray Rocking Curve of Bent Heteroepitaxial Films
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: art. no. 076104
作者:
Wang LJ
;
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2010/03/08
DENSITIES
CRYSTALS
LAYERS
Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2277-2280
Cui, JP
;
Wang, XF
;
Duan, Y
;
He, JX
;
Zeng, YP
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
THIN-FILMS
BULK ZNO
SCATTERING
PRESSURE
1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
收藏
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浏览/下载:223/60
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提交时间:2010/03/29
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
NITROGEN
ORIGIN
DIODES
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 1-2, 页码: 165-172
Xie MH
;
Cheung SH
;
Zheng LX
;
Tong SY
;
Zhang BS
;
Yang H
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浏览/下载:140/42
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-ray diffraction analysis on gallium-indium interdiffusion in quantum dot superlattices
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 810-812
Wang H
;
Xu SJ
;
Li Q
;
Feng SL
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浏览/下载:89/11
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提交时间:2010/08/12
LUMINESCENCE
Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 109-111
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang J
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
SINGLE CRYSTALLINE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
THIN-FILMS
GALLIUM NITRIDE
001 SILICON
SAPPHIRE
SI
DEPOSITION
ALN
INVESTIGATION OF C-60 SINGLE-CRYSTAL BY X-RAY-METHODS
期刊论文
chinese physics letters, 1995, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 217-220
LI CR
;
MAI ZH
;
WANG G
;
WANG YT
;
WU LS
;
CUI SF
;
XIE SS
;
JIANG JH
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提交时间:2010/11/17
CONDUCTIVITY
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