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半导体研究所 [26]
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学科主题:半导体物理
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Si(100)衬底外延氮化物及其3D发光器件
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
王克超
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2016/05/30
硅
氮化镓
外延
单芯片
白光LED
湿法腐蚀
多量子阱
MOCVD
纳米线阵列
半极性面
高性能硅基锗光电探测器的研制
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
薛海韵
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浏览/下载:300/0
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提交时间:2011/06/01
硅基光子学
硅基锗光电探测器
吸收区倍增区分离的雪崩光电二极管
共振腔增强型
波导型
Study of valence intersubband absorption in tensile strained Si/SiGe quantum wells
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 3479-3483
Lin GJ
;
Lai HK
;
Li C
;
Chen SY
;
Yu JZ
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/03/08
Si/SiGe
Doped polycrystalline 3C-SiC films deposited by LPCVD for radio-frequency MEMS applications
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2269-2272
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Synthesis of high quality n-type CdS nanobelts and their applications in nanodevices
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 20, 页码: art.no.203120
Ma RM (Ma R. M.)
;
Dai L (Dai L.)
;
Huo HB (Huo H. B.)
;
Yang WQ (Yang W. Q.)
;
Qin GG (Qin G. G.)
;
Tan PH (Tan P. H.)
;
Huang CH (Huang C. H.)
;
Zheng J (Zheng J.)
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/04/11
WURTZITE ZNS
NANORIBBONS
LUMINESCENCE
NANOWIRES
GROWTH
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
期刊论文
advanced materials forum iii, 2006, 卷号: pts 1 and 2 514-516, 期号: 0, 页码: 18-22
Zhang S
;
Hu Z
;
Raniero L
;
Liao X
;
Ferreira I
;
Fortunato E
;
Vilarinho P
;
Perreira L
;
Martins R
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/11
silicon carbide
high temperature annealing
thin film
SILICON
PECVD
Shrinkage of nanocavities in silicon during electron beam irradiation
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 3, 页码: art.no.034304
Zhu XF (Zhu Xianfang)
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2010/04/11
PREFERENTIAL AMORPHIZATION
ION IRRADIATION
AMORPHOUS SI
IN-SITU
VOIDS
Photoluminescence behaviors from stoichiometric gadolinium oxide films
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 7, 页码: 4414-4419
Zhou JP
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song SL
;
Chen NF
;
Lin LY
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浏览/下载:362/14
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提交时间:2010/08/12
INTERFACIAL LAYER FORMATION
GATE DIELECTRICS GD2O3
ION-BEAM
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SILICON
SI
GAAS(100)
CONSTANTS
EUROPIUM
YTTRIUM
Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4271-4274
Wang QY
;
Tan LW
;
Wang J
;
Yu YH
;
Lin LY
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
Micro-Raman study on hydrogenated protocrystalline silicon films
期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1811-1815
Zhang SB
;
Liao XB
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An L
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Yang FH
;
Kong GL
;
Wang YQ
;
Xu YY
;
Chen CY
;
Diao HW
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
amorphous silicon
film
Raman scattering
microstructure
SI-H FILMS
MICROCRYSTALLINE SILICON
AMORPHOUS SI
LIGHT-SCATTERING
SPECTRA
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