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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Neutron irradiation effect in two-dimensional electron gas of AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1045-1048 Zhang, ML; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：50/3  |  提交时间：2010/03/08 TRANSPORT  PROTON  HEMTS   Direct observation of coherent spin transfer processes in an InGaAs/GaAs quantum well via two-color time-resolved Kerr rotation measurements 期刊论文 semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: art. no. 075021 Ruan, XZ; Sun, BQ; Ji, Y; Yang, W; Zhao, JH; Xu, ZY 收藏  |  浏览/下载：56/4  |  提交时间：2010/03/08 PHOTONIC CRYSTAL FIBER  SELF-PHASE-MODULATION  SEMICONDUCTOR SPINTRONICS  CONTINUUM GENERATION  SAPPHIRE LASERS  OPTICAL-FIBERS  SPECTROSCOPY  HETEROSTRUCTURES  SYNCHRONIZATION  TEMPERATURE   Electron irradiation induced defects in high temperature annealed InP single crystal 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1603-1607 Wang B (Wang Bo); Zhao YW (Zhao You-Wen); Dong ZY (Dong Zhi-Yuan); Deng AH (Deng Ai-Hong); Miao SS (Miao Shan-Shan); Yang J (Yang Jun) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/29 InP   RBS/channeling study and photoluminscence properties of Er-implanted GaN 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2558-2562 Song SF; Zhou SQ; Chen WD; Zhu JJ; Chen CY; Xu ZJ 收藏  |  浏览/下载：235/3  |  提交时间：2010/08/12 GaN  erbium  Raman back scattering  photoluminscence  DOPED GAN  ERBIUM  PHOTOLUMINESCENCE  ELECTROLUMINESCENCE