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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [9]
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2012 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
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半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
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Multiphonon effects on the optical emission spectra of the nitrogen-vacancy center in diamond at different temperatures
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 6, 页码: 63519
Ma, WL
;
Li, SS
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/02/07
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
收藏
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浏览/下载:217/56
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提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Study on optical properties of Er/Er+O doped GaN thin films
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1621-1626
Song SF (Song Shu-Fan)
;
Chen WD (Chen Wei-De)
;
Xu ZJ (Xu Zhen-Jia)
;
Xu XR (Xu Xu-Rong)
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/03/29
GaN
Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs
期刊论文
physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505
Li J
;
Carrier P
;
Wei SH
;
Li SS
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2010/04/11
DILUTED GANXAS1-X ALLOYS
GROUP-IV DONORS
SEMICONDUCTOR ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
BAND
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
HYDROGEN
Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074
作者:
Han PD
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
nitrogen vacancy scattering
GaN
mobility
MOCVD
N-TYPE GAN
NITRIDE
FILMS
Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597
Tsang MS
;
Wang JN
;
Ge WK
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Chen Y
;
Han HX
;
Li LH
;
Pan Z
收藏
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浏览/下载:98/11
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提交时间:2010/08/12
GAINNAS ALLOYS
BAND-STRUCTURE
GAAS
NITROGEN
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
BEHAVIOR
MASS
Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596
Zhu QS
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
LAYER
High-frequency hydrogen-related infrared modes in silicon grown in a hydrogen atmosphere
期刊论文
physical review b, 1999, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 7500-7506
Pajot B
;
Clerjaud B
;
Xu ZJ
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
ION-IMPLANTED SILICON
UNIAXIAL-STRESS
ABSORPTION
NITROGEN
DEFECT
GERMANIUM
COMPLEXES
OXYGEN
LEVEL
BANDS
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