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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2009 [2]
2008 [1]
2003 [1]
2000 [1]
1998 [2]
1996 [1]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
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Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
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浏览/下载:71/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Enhancement of field emission of the ZnO film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 26, 页码: art. no. 262105
作者:
Zhang XW
;
Yin ZG
;
You JB
收藏
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浏览/下载:101/13
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提交时间:2010/03/08
atomic force microscopy
field emission
hydrogen
II-VI semiconductors
plasma materials processing
sputter deposition
wide band gap semiconductors
work function
zinc compounds
Structural properties of ne implanted GaN
期刊论文
physica scripta, 2008, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: art. no. 035601
作者:
Zhu JJ
;
Yang H
;
Liu W
;
Liu W
;
Lu GJ
收藏
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浏览/下载:46/2
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提交时间:2010/03/08
RAMAN-SCATTERING
Influence of coupling between Er3+, nc-Si and nonradiative centers on photoluminescence from Er3+-doped nc-Si/SiO2 films
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 3, 页码: 736-739
Chen CY
;
Chen WD
;
Wang YQ
;
Song SF
;
Xu ZJ
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
E3+
nc-Si
H treatment
ROOM-TEMPERATURE LUMINESCENCE
NANOCRYSTALS
IMPLANTATION
Photoluminescence of erbium-doped hydrogenated amorphous SiOx(0 < x < 2)
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 1386-1389
Liang JJ
;
Wang YQ
;
Chen WD
;
Wang ZG
;
Chang Y
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
Er
luminescence
oxygen content
CRYSTALLINE SI
SILICON
ELECTROLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
ER
Hydrogen-decorated lattice defects in proton implanted GaN
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 14, 页码: 1703-1705
Weinstein MG
;
Song CY
;
Stavola M
;
Pearton SJ
;
Wilson RG
;
Shul RJ
;
Killeen KP
;
Ludowise MJ
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
AS-H BONDS
COMPLEXES
INP
GAAS
Structural study of YSi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906
Wu MF
;
Yao SD
;
Vantomme A
;
Hogg S
;
Pattyn H
;
Langouche G
;
Yang QQ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
YTTRIUM-SILICIDE LAYERS
ERSI1.7 LAYERS
COSI2 LAYERS
THIN-FILMS
IMPLANTATION
SI
DIFFRACTION
STABILITY
KINETICS
SI(111)
Effect of temperature on implant isolation characteristics of AlGaAs/GaAs multilayer heterojunction structure
期刊论文
defect recognition and image processing in semiconductors 1995, 1996, 卷号: 149, 期号: 0, 页码: 85-90
Xu HD
;
Wang S
;
Zheng D
;
Liu HZ
;
Zhou LS
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/17
GAAS
STRUCTURAL DEFECTS AND THEIR ELECTRICAL-ACTIVITY IN GERMANIUM IMPLANTED SILICON
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1993, 卷号: 74, 期号: 0, 页码: 127-130
ZHANG JP
;
FAN TW
;
GWILLIAM RM
;
HEMMENT PLF
;
WEN JQ
;
QIAN Y
;
EFEOGLU H
;
EVANS JH
;
PEAKER AR
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/15
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