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科研机构
半导体研究所 [17]
内容类型
期刊论文 [12]
会议论文 [5]
发表日期
2009 [1]
2006 [5]
2005 [1]
2003 [3]
2002 [1]
2001 [1]
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学科主题
半导体物理 [17]
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共17条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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85
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发表日期升序
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Electron spin quantum beats and room temperature g factor in GaAsN
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041911
Zhao HM
;
Lombez L
;
Liu BL
;
Sun BQ
;
Xue QK
;
Chen DM
;
Marie X
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浏览/下载:58/2
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提交时间:2010/03/08
electron spin polarisation
gallium arsenide
g-factor
high-speed optical techniques
III-V semiconductors
semiconductor thin films
Zeeman effect
Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs
期刊论文
physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505
Li J
;
Carrier P
;
Wei SH
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2010/04/11
DILUTED GANXAS1-X ALLOYS
GROUP-IV DONORS
SEMICONDUCTOR ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
BAND
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
HYDROGEN
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: art.no.011912
Sun Z
;
Xu ZY
;
Yang XD
;
Sun BQ
;
Ji Y
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
Niu ZC
收藏
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
Effect of nonradiative recombination on carrier dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2566-2569
Sun Z (Sun Zheng)
;
Wang BR (Wang Bao-Rui)
;
Xu ZY (Xu Zhong-Ying)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/11
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
Resonant Raman Scattering and Photoluminescence Emissions from Above Bandgap Levels in Dilute GaAsN Alloy
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 397-402
作者:
Zhang Y
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
收藏
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浏览/下载:182/36
  |  
提交时间:2010/03/29
GaInNAs/GaAs quantum wells
optical properties
nonradiative recombination effect
time-resolved photoluminescence
PL decay dynamics
PL thermal quenching
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
EXCITATION
Pressure behavior of the alloy band edge and nitrogen-related centers in GaAs0.999N0.001
期刊论文
physical review b, 2005, 卷号: 71, 期号: 4, 页码: art.no.045213
Ma BS
;
Su FH
;
Ding K
;
Li GH
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/03/17
ELECTRONIC-STRUCTURE
Alloy states in dilute GaAs1-xNx alloys (x < 1%)
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 11, 页码: 1697-1699
Luo XD
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Yang CL
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
BAND-GAP REDUCTION
GAASN
EXCITONS
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865
作者:
Tan PH
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浏览/下载:142/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
NITROGEN
LUMINESCENCE
PRESSURE
STATES
ENERGY
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs
会议论文
symposium on gan and related alloys held at the mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 2003
作者:
Tan PH
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ALLOYS
GAAS1-XNX
PHOTOLUMINESCENCE
RELAXATION
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