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半导体研究所 [6]
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2011 [1]
2010 [1]
2006 [1]
2002 [1]
1999 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [6]
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学科主题:半导体物理
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First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057101
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Tang LM (Tang Li-Ming)
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浏览/下载:101/3
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提交时间:2010/05/24
SIMULATION
TRANSISTORS
LIMIT
NM
Magneto-transport characteristics of two-dimensional electron gas for Si delta-doped InAlAs/InGaAs single quantum well
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 2044-2048
Zhou WZ
;
Yao W
;
Zhu B
;
Qiu ZJ
;
Guo SL
;
Lin T
;
Cui LJ
;
Gui YS
;
Chu JH
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/04/11
InAlAs/InGaAs single quantum well
SdH oscillation
two-dimensional electron gas
magneto-intersubband scattenng
ALLOY SCATTERING
HETEROJUNCTIONS
HEMTS
OSCILLATIONS
TRANSPORT
Numerical analysis of LEC growth of GaAs with an axial magnetic field
期刊论文
international journal of heat and mass transfer, 2002, 卷号: 45, 期号: 13, 页码: 2843-2851
Li MW
;
Hu WR
;
Chen NH
;
Zeng DL
;
Tang ZM
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
liquid encapsulant Czochralski (LEC)
growth of GaAs
magnetic field finite-element method
boron oxide
CRYSTAL-GROWTH
HEAT-TRANSFER
CONVECTION
FLOW
SIMULATION
MODEL
Dynamic dc voltage band observed within each current branch in the transition from static to dynamic electric-field domain formation in a doped GaAs/AlAs superlattice
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 17, 页码: 2620-2622
Wang JM
;
Sun BQ
;
Wang XR
;
Wang YQ
;
Ge WL
;
Wang HL
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
OSCILLATIONS
Sequential resonant tunnelling through Landau levels in GaAs/AlAs superlattices
会议论文
2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997
作者:
Liu J
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
GaAs/AlAs
superlattices
transport
tunnelling
Landau level
NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY
LOW-FIELD MOBILITY
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE
TEMPERATURE-DEPENDENCE
CONDUCTANCE
TRANSPORT
LOCALIZATION
MINIBANDS
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