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半导体研究所 [17]

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半导体物理 [17]

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限定条件	学科主题：半导体物理

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	Characteristics of undoped and Sb-doped ZnO thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850 Zhu BL; Zhu SJ; Zhao XZ; Su FH; Li GH; Wu XG; Wu J 收藏 \| 浏览/下载：96/5 \| 提交时间：2011/07/05 conductivity doping photoluminescence pulsed laser deposition ZnO ZINC-OXIDE ELECTRICAL-PROPERTIES OPTICAL-PROPERTIES OXYGEN-PRESSURE PHOTOLUMINESCENCE LUMINESCENCE VIOLET GROWTH FABRICATION DEPENDENCE
	Minimum thermal conductance in graphene and boron nitride superlattice 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: 43109 Jiang JW; Wang JS; Wang BS 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2012/01/06 CONDUCTIVITY TRANSPORT
	Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者: Zhang XW; You JB; Yin ZG 收藏 \| 浏览/下载：70/1 \| 提交时间：2010/03/08 annealing carrier density carrier mobility diffusion electrical conductivity electrical resistivity hydrogen II-VI semiconductors impurity states interstitials light transmission plasma materials processing semiconductor thin films sputter deposition vacancies (crystal) visible spectra wide band gap semiconductors zinc compounds
	Structural and electrical properties of (110) ZnO epitaxial thin films on (001) SrTiO3 substrates 期刊论文 solid state communications, 2008, 卷号: 148, 期号: 39939, 页码: 247-250 Wu, YL; Zhang, LW; Xie, GL; Ni, J; Chen, YH 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2010/03/08 ZnO thin films Pulsed laser deposition Electrical resistance
	First-principles study of defects in CuGaO2 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 2997-3000 Fang, ZJ; Fang, C; Shi, LJ; Liu, YH; He, MC 收藏 \| 浏览/下载：48/0 \| 提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION AUGMENTED-WAVE METHOD ELECTRICAL-CONDUCTION DELAFOSSITE STRUCTURE THIN-FILMS TRANSPARENT CUALO2 CUINO2 OXIDE
	Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films 期刊论文 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407-1412 Song SF; Chen WD; Xu ZJ; Xu XR 收藏 \| 浏览/下载：45/0 \| 提交时间：2010/04/11 GaN Er Pr-implautation deep level transient spectroscopy N-TYPE GAN DEFECTS EPITAXY TRAPS
	Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs 期刊论文 physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505 Li J; Carrier P; Wei SH; Li SS; Xia JB 收藏 \| 浏览/下载：71/0 \| 提交时间：2010/04/11 DILUTED GANXAS1-X ALLOYS GROUP-IV DONORS SEMICONDUCTOR ALLOYS OPTICAL-PROPERTIES BAND GAN(X)AS1-X IMPURITIES HYDROGEN
	Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108 作者: Zhang XW 收藏 \| 浏览/下载：46/0 \| 提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION ENERGY-GAP 100 GAAS INASSB INAS1-XSBX ALLOYS INSB TRANSPORT LAYERS
	Electron ground state energy level determination of ZnSe self-organized quantum dots embedded in ZnS 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 9, 页码: 5325-5330 Lu LW; Yang CL; Wang J; Sou IK; Ge WK 收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY TRANSIENT SPECTROSCOPY TEMPERATURE-DEPENDENCE PHOTOLUMINESCENCE WELL EPILAYERS SURFACE
	Study on the reverse characteristics of Ti/6H-SiC Schottky contacts 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 211-216 Shang YC; Liu ZL; Wang SR 收藏 \| 浏览/下载：55/0 \| 提交时间：2010/08/12 SiC Schottky contacts reverse characteristics tunneling current ELECTRICAL CHARACTERISTICS INHOMOGENEITIES DIODES

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