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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 8, 页码: art.no.084510 Jiang XW (Jiang Xiang-Wei); Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li SS (Li Shu-Shen); Luo JW (Luo Jun-Wei); Wang LW (Wang Lin-Wang) 收藏  |  浏览/下载：159/62  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRONIC-STRUCTURE   Structural, elastic, and electronic properties of cubic perovskite BaHfO3 obtained from first principles 期刊论文 physica b-condensed matter, 2009, 卷号: 404, 期号: 16, 页码: 2192-2196 Zhao HS; Chang AM; Wang YL 收藏  |  浏览/下载：54/1  |  提交时间：2010/03/08 BaHfO3  Elastic properties  Electronic structures  First-principles calculations   Photoluminescence study of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs one-side-modulation-doped asymmetric step quantum wells 期刊论文 solid state communications, 1998, 卷号: 106, 期号: 12, 页码: 811-814 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wells  semiconductors  electronic band structure  luminescence  TRANSISTOR STRUCTURES  OPTICAL-TRANSITIONS  MASS  RENORMALIZATION  HETEROJUNCTIONS  LUMINESCENCE  DENSITY  FERMI-EDGE SINGULARITY   TUNNELING ESCAPE TIME OF ELECTRONS THROUGH DOUBLE-BARRIER RESONANT-TUNNELING STRUCTURES 期刊论文 journal of the korean physical society, 1995, 卷号: 28, 期号: 0, 页码: s179-s183 ZHENG HZ; ZHANG YM; LI HF; LI YX; YANG XP; ZHANG PH; ZHANG W; TIAN JF 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 QUANTUM-WELL  SPECTROSCOPY   1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS FOR QUASI-PARTICLE ENERGIES OF GAP AND GAAS 期刊论文 physical review b, 1991, 卷号: 44, 期号: 16, 页码: 8707-8712 WANG JQ; GU ZQ; LI MF 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 EXCHANGE-CORRELATION POTENTIALS  DENSITY-FUNCTIONAL THEORY  ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS  STRUCTURAL-PROPERTIES  ELECTRON  SILICON  PSEUDOPOTENTIALS  DISCONTINUITY  APPROXIMATION  INSULATORS   BAND DISPERSION IN THE RECURSION METHOD 期刊论文 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 15, 页码: 12464-12469 WANG YL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRONIC-STRUCTURE  SEMICONDUCTORS  SILICON  DISLOCATIONS  ENVIRONMENT  DEFECTS  STATES   1ST PRINCIPLE CALCULATIONS OF QUASI-PARTICLE ENERGIES FOR BAND STRUCTURES OF SI AND GAAS 期刊论文 chinese physics letters, 1991, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 207-210 WANG JQ; GU ZQ; WANG BX; LI MF 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 SEMICONDUCTORS