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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic structure and magnetic coupling properties of Gd-doped AlN: first-principles calculations 期刊论文 european physical journal b, 2010, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 345-349 Zhang YJ (Zhang Y. J.); Shi HL (Shi H. -L.); Wang SX (Wang S. X.); Zhang P (Zhang P.); Li RW (Li R. W.) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/11/27 Origins of magnetism in transition metal doped Cul 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 043713 Wang J (Wang Jing); Li JB (Li Jingbo); Li SS (Li Shu-Shen) 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2010/10/11 AUGMENTED-WAVE METHOD  OPTICAL-PROPERTIES  CUPROUS HALIDES  COPPER HALIDES  BAND-STRUCTURE  CUBR  PHOTOEMISSION  PRESSURE  DENSITY  STATES   Entanglement evolution of a spin-chain bath coupled to a quantum spin 期刊论文 physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 10, 页码: art. no. 104428 Wang ZH; Wang BS; Su ZB 收藏  |  浏览/下载：68/28  |  提交时间：2010/03/08 hyperfine interactions  quantum entanglement  spin-spin coupling   Multiple valley couplings in nanometer Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: art. no. 124507 Deng, HX; Jiang, XW; Luo, JW; Li, SS; Xia, JB; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：65/5  |  提交时间：2010/03/08 SIMULATION  MOSFETS  SUPERLATTICES  REGIME  LIMIT   Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs 期刊论文 physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505 Li J; Carrier P; Wei SH; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/04/11 DILUTED GANXAS1-X ALLOYS  GROUP-IV DONORS  SEMICONDUCTOR ALLOYS  OPTICAL-PROPERTIES  BAND  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  HYDROGEN   Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite GaN epilayers 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391 Xu SJ; Zheng LX; Cheung SH; Xie MH; Tong SY; Yang H 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  CUBIC GAN  BINDING-ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  PRESSURE  ELECTRON  GAAS  ALN