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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Charge transfer and optical phonon mixing in few-layer graphene chemically doped with sulfuric acid 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 24, 页码: article no.245423 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：79/9  |  提交时间：2011/07/05 RAMAN-SPECTROSCOPY  BILAYER GRAPHENE  GRAPHITE  SCATTERING  SPECTRA  CARBON  FILMS   Preferred growth of nanocrystalline silicon in boron-doped nc-Si : H Films 期刊论文 vacuum, 2004, 卷号: 74, 期号: 1, 页码: 69-75 Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Han HX; Ding K 收藏  |  浏览/下载：181/44  |  提交时间：2010/03/09 hydrogenated nanocrystalline silicon film   Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4327-4330 Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Han HX; Ding K 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 AMORPHOUS-SILICON   1.5 mu m luminescence characteristic of erbium in B, P doped a-SiO : H films 期刊论文 chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 10, 页码: 783-786 Liang JJ; Chen WD; Wang YQ; Chang Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 erbium  photoluminescence  a-SiO : H  boron and phosphorus co-doping  CRYSTALLINE SI  SILICON  ELECTROLUMINESCENCE  ER