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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Synthesis and characterization of ZnO nanoflowers grown on AIN films by solution deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 640-643 Gao, HY; Yan, FW; Zhang, Y; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：51/4  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NANORODS  MECHANISM  NANOWIRES   1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz 期刊论文 solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 Wang XL; Cheng TS; Ma ZY; Hu G; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Luo WJ 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/29 AlGaN/GaN   Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：251/3  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY   Synthesis of composite AIN powder mixed with sintering additives by the Lanxide method 期刊论文 journal of inorganic materials, 2003, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 1351-1356 Lin ZL; Zheng XH; Wang Q; Zhou ML 收藏  |  浏览/下载：47/20  |  提交时间：2010/03/09 AlN powder   Electronic properties of zinc-blende GaN, AlN, and their alloys Ga1-xAlxN 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 1, 页码: 188-194 Fan WJ; Li MF; Chong TC; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/17 GALLIUM NITRIDE  BAND-GAPS  PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS  ALUMINUM NITRIDE  SEMICONDUCTORS  GROWTH  INSULATORS  CRYSTALS  SILICON  DIAMOND