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科研机构
半导体研究所 [18]
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期刊论文 [18]
发表日期
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2007 [1]
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2003 [4]
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学科主题
半导体物理 [18]
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学科主题:半导体物理
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GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 067801
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/03/08
MU-M
LASER
ISLANDS
Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:82/4
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提交时间:2010/03/08
EMISSION
SPECTRA
LASERS
8-BAND
Metamorphic InGaAs Quantum Well Laser Diodes at 1.5 mu on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 014214
Wang HL
;
Wu DH
;
Wu BP
;
Ni HQ
;
Huang SS
;
Xiong YH
;
Wang PF
;
Han Q
;
Niu ZC
;
Tangring I
;
Wang SM
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浏览/下载:176/53
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提交时间:2010/03/08
THRESHOLD CURRENT-DENSITY
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 971-974
Tangring, I (Tangring, I.)
;
Wang, SM (Wang, S. M.)
;
Sadeghi, M (Sadeghi, M.)
;
Larsson, A (Larsson, A.)
;
Wang, XD (Wang, X. D.)
收藏
  |  
浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/03/29
metamorphic growth
Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 498, 期号: 1-2, 页码: 188-192
Kong LM
;
Cai JF
;
Wu ZY
;
Gong Z
;
Niu ZC
;
Feng ZC
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
time-resolved photoluminescence
InAs self-assembled QDs
migration of carriers
1.3 MU-M
DEPENDENT RADIATIVE DECAY
THERMAL REDISTRIBUTION
EXCITONS
RECOMBINATION
RELAXATION
LIFETIMES
EMISSION
EPITAXY
LASERS
Influence of growth parameters of frequency-radio plasma nitrogen source on extending emission wavelengths from 1.31 mu m to 1.55 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1005-1008
作者:
Yang XH
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/04/11
LASERS
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529
作者:
Wu DH
;
Niu ZC
;
Jiang DS
;
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2010/04/11
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting III-V materials
MU-M
LASERS
TEMPERATURE
SURFACTANT
NM
Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures
期刊论文
journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79
Kong LM (Kong Lingmin)
;
Cai JF (Cai Jiafa)
;
Wu ZY (Wu Zhengyun)
;
Gong Z (Gong Zheng)
;
Fang ZD (Fang Zhidan)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/04/11
InGaAs layer
InAs quantum dots
time-resolved PL spectra
1.3 MU-M
CARRIER DYNAMICS
LASERS
GROWTH
WAVELENGTH
EMISSION
ISLANDS
LAYERS
SIZE
Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119
作者:
Liang S
;
Pan JQ
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
self-assembled quantum dots
indium arsenide
bimodal size distribution
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MU-M
ISLANDS
DENSITY
EPITAXY
LASER
Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063
Fang ZD
;
Gong Z
;
Miao ZH
;
Xu XH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/08/12
1.3 MU-M
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASING CHARACTERISTICS
LASERS
WAVELENGTH
SEPARATION
LINEWIDTH
PROPERTY
GAIN
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