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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells 会议论文 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 作者:  Jiang DS;  Zhang Y;  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 LASERS  GAIN  GAAS   Optical properties of AIInGaN quaternary alloys 会议论文 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29 LIGHT-EMITTING-DIODES  LOCALIZED EXCITONS  LUMINESCENCE  RELAXATION  SILICON  BAND   Optical study of electronic states in GaAsN 会议论文 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 Luo XD; Yang CL; Huang JS; Xu ZY; Liu J; Ge WK; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE  QUANTUM-WELL  ALLOYS  RELAXATION  GAAS1-XNX   Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/10/29 AlGaN/GaN heterostructures  In-doping  2DEG  electron sheet density  X-ray diffraction  etching  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MOBILITY  GROWTH  FILMS   Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates 会议论文 27th annual conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces (pcsi-27), salt lake city, utah, jan 16-20, 2000 Yang Z; Sou IK; Chen YH 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15 REFLECTANCE DIFFERENCE SPECTROSCOPY  ZNSE/GAAS INTERFACE  STATES  GAAS