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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs 会议论文 symposium on gan and related alloys held at the mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 2003 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  GAAS1-XNX  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION   Optical study of electronic states in GaAsN 会议论文 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 Luo XD; Yang CL; Huang JS; Xu ZY; Liu J; Ge WK; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE  QUANTUM-WELL  ALLOYS  RELAXATION  GAAS1-XNX   Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 Luo XD; Xu ZY; Sun BQ; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  photoluminescence  band offset  band bowing coefficient  localized exciton  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  TEMPERATURE  GAASN