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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
会议论文 [4]
发表日期
2006 [1]
2003 [1]
1998 [1]
1997 [1]
学科主题
半导体物理 [4]
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学科主题:半导体物理
内容类型:会议论文
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Surface morphology evolution of strained InAs/GaAs(331)a films
会议论文
2nd asian conference on nanoscience and nanotechnology, beijing, peoples r china, nov 24-27, 2004
Gong, M (Gong, Meng)
;
Fang, ZD (Fang, Zhidan)
;
Miao, ZH (Miao, Zhenhua)
;
Niu, ZC (Niu, Zhichuan)
收藏
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浏览/下载:118/36
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提交时间:2010/03/29
surface morphology evolution
InAs nanostructures
island-pit pairs
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM DOTS
COOPERATIVE NUCLEATION
HETEROEPITAXY
TRANSITION
ISLANDS
GROWTH
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
会议论文
10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
OPTICAL-ABSORPTION
ZNS-TE
TRANSITION
EDGE
Visible vertical cavity surface emitting laser
会议论文
semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998
Cheng P
;
Ma XY
;
Gao JH
;
Kang XJ
;
Cao Q
;
Wang HJ
;
Luo LP
;
Zhang CH
;
Lu XL
;
Lin SM
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/10/29
semiconductor lasers
oxidation
Influence of interdot electronic coupling on photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
会议论文
10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997
作者:
Han PD
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
GAAS
GROWTH
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