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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2006 [1]
2003 [2]
2002 [1]
2000 [1]
1999 [1]
1996 [1]
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学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Enhanced photoresponse from the ordered microstructure of naphthalocyanine-carbon nanotube composite film
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 13, 页码: 3274-3279
Feng W
;
Li Y
;
Feng YY
;
Wu J
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2010/04/11
NONCOVALENT SIDEWALL-FUNCTIONALIZATION
PHOTOVOLTAIC DEVICES
POLYMER COMPOSITES
THIN-FILMS
DYE
IMMOBILIZATION
PHTHALOCYANINE
POLYANILINE
CELLS
Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
收藏
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浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/08/12
amorphous layer
dislocation
transmission electron microscopy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
ELECTRON-DIFFRACTION
DEFECT STRUCTURE
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
(111)SI
LAYER
Amorphous silicon nanoparticles in compound films grown on cold substrates for high-efficiency photoluminescence
期刊论文
nanotechnology, 2003, 卷号: 14, 期号: 11, 页码: 1235-1238
Wang YQ
;
Chen WD
;
Liao XB
;
Cao ZX
收藏
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浏览/下载:74/0
  |  
提交时间:2010/08/12
SI NANOCRYSTALS
LUMINESCENCE
Structural properties and Raman measurement of AlN films grown on Si (111) by NH3-GSMBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 3-4, 页码: 229-235
Luo MC
;
Wang XL
;
Li JM
;
Liu HX
;
Wang L
;
Sun DZ
;
Zeng YP
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
Raman
transmission electron microscopy
molecular beam epitaxy
aluminium nitride
ELECTRON-AFFINITY
GAN
SI(111)
Defects and morphologies in In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP(001) for high electron-mobility transistors
期刊论文
defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 147-152
Wu J
;
Lin F
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP
misfit dislocations
surface morphology
GROWTH
RELAXATION
SUBSTRATE
CIRCUITS
TEM study of dislocations in ZnTe/GaAs heterostructure grown by hot-wall epitaxy
期刊论文
defect and diffusion forum, 1999, 卷号: 174, 期号: 0, 页码: 59-65
作者:
Han PD
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
HREM
large-angle stereo-projection
misfit dislocations
stacking faults
TEM
LAYER
SUPERLATTICES
ELECTRON-MICROSCOPY
Structure and device characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs solar cells
期刊论文
journal of crystal growth, 1996, 卷号: 162, 期号: 0, 页码: 43-47
Li B
;
Xiang XB
;
You ZP
;
Xu Y
;
Fei XY
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/17
REGROWTH
LAYERS
SURFACE
GAAS
AL
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