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半导体材料 [8]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Aluminum induced crystallization of strongly (111) oriented polycrystalline silicon thin film and nucleation analysis 期刊论文 science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 11, 页码: 3002-3005 Huang TM (Huang TianMao); Chen NF (Chen NuoFu); Zhang XW (Zhang XingWang); Bai YM (BaiYiMing); Yin ZG (Yin ZhiGang); Shi HW (Shi HuiWei); Zhang H (Zhang Han); Wang Y (Wang Yu); Wang YS (Wang YanShuo); Yang XL (Yang XiaoLi) 收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2010/11/14 polycrystalline silicon thin film aluminum induced crystallization (111) preferred orientation INDUCED LAYER-EXCHANGE AMORPHOUS-SILICON SOLAR-CELLS GLASS SI ORIENTATION MODEL
	Effect of silver growth temperature on the contacts between Ag and ZnO thin films 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 9, 页码: 2779-2784 作者: Li XK 收藏 \| 浏览/下载：90/1 \| 提交时间：2010/03/08 ZnO Schottky barrier interface MSM structure
	Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626 作者: Zhang SM 收藏 \| 浏览/下载：252/65 \| 提交时间：2010/08/12 gallium nitride MOCVD in situ laser reflectometry CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION IN-SITU SAPPHIRE SUBSTRATE NUCLEATION LAYERS FILMS
	In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 126-130 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：56/0 \| 提交时间：2010/08/12 dislocation interfaces strain molecular beam epitaxy semiconductor IIIV materials MOLECULAR-BEAM EPITAXY SURFACE-MORPHOLOGY TECHNOLOGY GAAS(001) BEHAVIOR SI
	Magnetic property and interlayer segregation in spin valve metal multilayers 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 140-145 Yu GH; Li MH; Zhu FW; Chai CL; Jiang HW; Lai WY 收藏 \| 浏览/下载：124/19 \| 提交时间：2010/08/12 NiFe/FeMn NiFe/Cu/NiFe/FeMn interlayer segregation exchange coupling field H-ex X-ray photoelectron spectroscopy( XPS) UNIDIRECTIONAL ANISOTROPY EXCHANGE BIAS FILMS BILAYERS LAYERS DEPENDENCE INTERFACES FIELD MODEL
	Sputtering of ZnO buffer layer on Si for GaN blue light emitting materials 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2000, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 55-59 He HB; Fan ZX; Yao ZY; Tang ZS 收藏 \| 浏览/下载：45/0 \| 提交时间：2010/08/12 light emitting material ZnO magnetron sputtering structure X-ray rocking curve FILMS GROWTH
	Dependence of ultra-thin gate oxide reliability on surface cleaning approach 会议论文 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Gao WY; Liu ZL; He ZJ 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2010/10/29 CHEMICAL TREATMENT QUALITY TECHNOLOGY FILMS
	Fabrication of GaN epitaxial films on Al2O3/Si (001) substrates 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 Wang LS; Liu XG; Zan YD; Wang D; Wang J; Lu DC; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2010/08/12 fabrication of GaN epitaxial films Al2O3/Si(001) substrate metalorganic chemical deposition crystal structure and surface morphology photoluminescence spectrum GROWTH DIODES BUFFER LAYER

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