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科研机构
半导体研究所 [23]
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期刊论文 [18]
会议论文 [5]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [2]
2007 [2]
2006 [3]
2005 [2]
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学科主题
半导体材料 [23]
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学科主题:半导体材料
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Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films
期刊论文
diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376
Ying J (Ying J.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/12/28
Cubic boron nitride
Doping
Ion beam assisted deposition
X-ray photoelectron spectroscopy
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
VAPOR-DEPOSITION
SI
NUCLEATION
GROWTH
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008
作者:
Xu B
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
First-principles study of native defects in rutile TiO2
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 9, 页码: 1527-1530
Peng, H
收藏
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浏览/下载:86/28
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提交时间:2010/03/08
defects
rutile
TiO2
first-principles
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
Kinetic Monte Carlo simulation of semiconductor quantum dot growth
会议论文
china international conference on nanoscience and technology (chinanano 2005), beijing, peoples r china, jun 09-11, 2005
Zhao C
;
Chen YH
;
Sun J
;
Lei W
;
Cui CX
;
Yu LK
;
Li K
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:269/88
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提交时间:2010/03/29
Monte Carlo simulation
Evolution of InAs nanostructures grown by droplet epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 3, 页码: art.no.033112
作者:
Xu B
;
Jin P
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
QUANTUM DOTS
Electronic structures of wurtzite ZnO and ZnO/MgZnO quantum well
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 287, 期号: 1, 页码: 28-33
Fan WJ
;
Abiyasa AP
;
Tan ST
;
Yu SF
;
Sun XW
;
Xia JB
;
Yeo YC
;
Li MF
;
Chong TC
收藏
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2010/04/11
computer simulation
low dimensional structures
zinc compounds
semiconducting II-VI materials
OPTICAL GAIN SPECTRA
BAND-STRUCTURES
ROOM-TEMPERATURE
LASERS
Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
growth interruption
in segregation
surface oxide
molecular beam epitaxy
quantum dots
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYER
SHAPE
SIZE
Visible blind p(+)-pi-n(-)-n(+) ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers
期刊论文
microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 11, 页码: 1396-1398
作者:
Ning J
;
Liu XF
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
4H-SiC
Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of InGaN quantum dots
期刊论文
vacuum, 2005, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 307-314
Han, XX
;
Li, JM
;
Wu, JJ
;
Wang, XH
;
Li, DB
;
Liu, XL
;
Han, PD
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/17
nanostructure
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