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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [2]
发表日期
2008 [1]
2005 [1]
2003 [1]
2001 [1]
1999 [2]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Electronic structures of wurtzite ZnO, BeO, MgO and p-type doping in Zn1-xYxO (Y = Mg, Be)
期刊论文
computational materials science, 2008, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 72-78
Xu, Q
;
Zhang, XW
;
Fan, WJ
;
Li, SS
;
Xia, JB
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/08
Density functional theory
Electronic structure
Alloy
Doping
Theoretical analysis of gate voltage-controlled subband states in an AlxGa1-xN/GaN heterostructure
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 230-236
Han, XX
;
Li, JM
;
Wu, JJ
;
Cong, GW
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:39/16
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提交时间:2010/03/17
two-dimensional electron gas
Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77
作者:
Li DB
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
stretched exponential
time-resolved photolummescence
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
InAlGaN
INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
GAN
DECAY
LUMINESCENCE
SAPPHIRE
DEVICES
SILICON
Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450
Liao MY
;
Chai CL
;
Yao ZY
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:83/8
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提交时间:2010/08/12
diffusion
growth models
ion bombardment
reflection high energy electron diffraction
physical vapor phase deposition
semiconducting silicon compounds
CUBIC GAN
GROWTH
DEPOSITION
EPITAXY
SILICON
DIAMOND
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
会议论文
40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998
作者:
Zhang JY
;
Jiang DS
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/15
double multi-quantum wells
photocurrent spectra
ZnCdSe-ZnSe
SPECTROSCOPY
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
PHOTODETECTORS
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
期刊论文
journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 563-566
作者:
Zhang JY
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
double multi-quantum wells
photocurrent spectra
ZnCdSe-ZnSe
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
PHOTODETECTORS
SPECTROSCOPY
A one-way MOS analog switch
会议论文
5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998
Wu G
;
Shi Y
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/10/29
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