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半导体研究所 [30]
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期刊论文 [26]
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发表日期
2017 [2]
2016 [1]
2014 [1]
2011 [1]
2009 [2]
2008 [1]
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学科主题
半导体材料 [30]
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学科主题:半导体材料
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Investigation of beam splitter in a zero-refractive-index photonic crystal at the frequency of Diraclike point
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 卷号: 7, 页码: 9588
作者:
Pingping Qiu
;
Weibin Qiu
;
Zhili Lin
;
Houbo Chen
;
Junbo Ren
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/05/31
Evanescently Coupled Waveguide InGaAs UTC-PD having an over 21 GHz Bandwidth under Zero Bias
期刊论文
IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 卷号: 29, 期号: 14, 页码: 1155-1158
作者:
Siwei Sun
;
Song Liang
;
Junjie Xu
;
Limeng Zhang
;
Lu Guo
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2018/05/30
Molecular Beam Epitaxy of Zero Lattice-Mismatch InAs/GaSb Type-II Superlattice
期刊论文
chinese physics letters, 2016, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 128103
Hai-Long Yu
;
Hao-Yue Wu
;
Hai-Jun Zhu
;
Guo-Feng Song
;
Yun Xu
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/03/16
Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector
期刊论文
physical review b, 2014, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 085310
Liang, SH
;
Zhang, TT
;
Barate, P
;
Frougier, J
;
Vidal, M
;
Renucci, P
;
Xu, B
;
Jaffres, H
;
George, JM
;
Devaux, X
;
Hehn, M
;
Marie, X
;
Mangin, S
;
Yang, HX
;
Hallal, A
;
Chshiev, M
;
Amand, T
;
Liu, HF
;
Liu, DP
;
Han, XF
;
Wang, ZG
;
Lu, Y
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/03/25
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 34-38
Xie Jing
;
Liu Yunfei
;
Yang Jinling
;
Tang Longjuan
;
Yang Fuhua
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 22, 页码: art. no. 222114
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Zhang B
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浏览/下载:198/0
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
indium compounds
semiconductor heterojunctions
semiconductor materials
valence bands
X-ray photoelectron spectra
Electronic structures of wurtzite ZnO, BeO, MgO and p-type doping in Zn1-xYxO (Y = Mg, Be)
期刊论文
computational materials science, 2008, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 72-78
Xu, Q
;
Zhang, XW
;
Fan, WJ
;
Li, SS
;
Xia, JB
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/08
Density functional theory
Electronic structure
Alloy
Doping
Weak anti-localization in InAlAs/InGaAs/InAlAs high mobility two-dimensional electron gas systems
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4099-4104
Zhou WZ (Zhou Wen-Zheng)
;
Lin T (Lin Tie)
;
Shang LY (Shang Li-Yan)
;
Huang ZM (Huang Zhi-Ming)
;
Cui LJ (Cui Li-Jie)
;
Li DL (Li Dong-Lin)
;
Gao HL (Gao Hong-Ling)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Pine)
;
Guo SL (Guo Shao-Ling)
;
Gui YS (Gui Yong-Sheng)
;
Chu JH (Chu Jun-Hao)
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2010/03/29
In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As
Low -temperature preparation of ZnO films on Si substrates by MOCVD
期刊论文
功能材料与器件学报, 2006, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-66
作者:
Wang Jun
;
Wang Jun
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
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