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半导体研究所 [24]
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期刊论文 [23]
专著 [1]
发表日期
2011 [1]
2010 [3]
2009 [3]
2008 [3]
2007 [1]
2006 [2]
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学科主题
半导体材料 [24]
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学科主题:半导体材料
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Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展
期刊论文
半导体光电, 2011, 卷号: 32, 期号: 1, 页码: 1-5,14
作者:
赵杰
;
李彦波
;
刘超
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2011/08/16
MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响
期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 34-38,43
作者:
杨少延
;
魏鸿源
;
焦春美
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响
期刊论文
激光技术, 2010, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 766-769
作者:
梁德春
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2011/08/16
自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究
期刊论文
稀有金属材料与工程, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
羊建坤
;
段瑞飞
;
霍自强
;
魏同波
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2011/08/16
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
刘斌
;
陈涌海
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性
期刊论文
光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1454-1457
作者:
王保柱
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
射频分子束外延生长AlInGaN四元合金
期刊论文
无机材料学报, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
作者:
王保柱
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/23
多晶AlN光学性质研究
期刊论文
光散射学报, 2008, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 245-248
作者:
陈涌海
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜
期刊论文
发光学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 861-864
作者:
王晓峰
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
作者:
刘喆
;
魏同波
;
段瑞飞
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
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