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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration 会议论文 13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004 Zhao, YW; Dong, ZY; Zhang, YH; Li, CJ 收藏  |  浏览/下载：177/52  |  提交时间：2010/03/29 DEEP-LEVEL DEFECTS  FE-DOPED INP  GROWN INP  SPECTROSCOPY  RESONANCE  WAFER   Non-stoichiometry Related Deep Level Defects in Semi-insulating InP 期刊论文 人工晶体学报, 2004, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 535-538 Zhao Youwen; Dong Zhiyuan; Duan Manlong; Sun Wenrong; Yang Zixiang; Lu Xuru; Wang Yingli 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：84/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   High efficiency AlxGa1-xAs/GaAs solar cells: Fabrication, irradiation and annealing effect 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 1996, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 63-67 Li B; Xiang XB; You ZP; Xu Y; Fei XY; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 GaAs  solar cell  liquid phase epitaxy  irradiation  annealing  GAAS