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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD 期刊论文 microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 Ran JX; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Li JP; Wang CM; Zeng YP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Mg memory effect  redistribution  AlGaN/GaN HBTs  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  FABRICATION   Q-switched and mode-locked diode-pumped Nd : GdVO4 laser with low temperature GaAs saturable absorber 期刊论文 optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 8-9, 页码: 970-973 Liu J; Wang YG; Tian WM; Gao LY; He JL; Ma XY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 LT-GaAs  Nd : GdVO4  diode-pump laser  mode-locking  Q-switching  ND-YVO4 LASER  LOCKING  MIRROR  YAG   Temperature-induced switching-over of the luminescence transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells 期刊论文 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 548-551 Bian LF; Jiang D; Liang XG; Lu SL 收藏  |  浏览/下载：41/18  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Photoluminescence of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with different thickness of spacer layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 4, 页码: 520-524 Cao X; Zeng YP; Kong MY; Pan LA; Wang BQ; Zhu ZP; Wang XG; Chang Y; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：135/8  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  high electron mobility transistors  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR  CARRIER DENSITY  QUANTUM-WELLS  BAND-GAP   An analysis of the performance of a new high-speed single-way analog switch 会议论文 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Wang P; Shi Y; Li SZ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29