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Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:  Wang C
收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：83/4  |  提交时间：2011/07/05
Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:  Shi K;  Jiao CM;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：94/7  |  提交时间：2011/07/05
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:  Pan X
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14
Quasi-hexagonal ordered arrays of FePt nanoparticles prepared by a micellar method 期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 3520-3523
Sheng, Q; Xing-Wang, Z; Zhi-Gang, Y; Jing-Bi, Y; Nuo-Fu, C
收藏  |  浏览/下载：60/9  |  提交时间：2010/03/08
Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626
作者:  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载：252/65  |  提交时间：2010/08/12
Epitaxial growth and characterization of SiC on C-plane sapphire substrates by ammonia nitridation 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 1-8
Luo MC; Li JM; Wang QM; Sun GS; Wang L; Li GR; Zeng YP; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12
Influence of high-temperature AIN buffer thickness on the properties of GaN grown on Si(111) 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 258, 期号: 1-2, 页码: 34-40
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：299/12  |  提交时间：2010/08/12
Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128
Zheng XH; Feng ZH; Wang YT; Zheng WL; Jia QJ; Jiang XM; Yang H; Liang JW
收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2010/08/12
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 221, 期号: 0, 页码: 356-361
Lu DC; Wang CX; Yuan HR; Liu XL; Wang XH
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12

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