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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Preparation and Optical Performance of Freestanding GaN Thick Films 期刊论文 rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172 作者:  Wei TB;  Yang JK;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：58/10  |  提交时间：2011/07/05 GaN  HVPE  freestanding thick films  stress release  photoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  GROWTH  PRESSURE  HVPE   Growth and characterization of 4H-SiC by horizontal hot-wall CVD 会议论文 13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004 Sun, GS; Gao, X; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：134/34  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：98/10  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  chemical vapor deposition processes  silicon carbide  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GROWTH  GAN  SI  DEFECTS  EPITAXY  LAYERS  MBE