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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113 Jin, L; Zhou, HY; Qu, SC; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2012/02/06 Patterned substrate  Ion implantation  Ordered nanodots  Anodic aluminum oxide  QUANTUM DOTS  ISLANDS  GROWTH  SEMICONDUCTORS  NANOSTRUCTURES  COMPUTATION  INGAAS   Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712 作者:  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/04 aluminium compounds  effective mass  gallium arsenide  III-V semiconductors  SCF calculations  semiconductor quantum wires  spectral line shift  EXCHANGE INTERACTION  ENERGY  STATES  ABSORPTION  NANOWIRES  ELECTRONS  SUBBANDS  WELLS  FIELD   Effect of substrate temperature on the growth and photoluminescence properties of vertically aligned ZnO nanostructures 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 1, 页码: 19-25 Li C (Li Chun); Fang GJ (Fang Guojia); Fu Q (Fu Qiang); Su FH (Su Fuhai); Li GH (Li Guohua); Wu XG (Wu Xiaoguang); Zhao XZ (Zhao Xingzhong) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/04/11 nanostructure  vapor phase transport  ZnO  semiconductor materials  PHYSICAL VAPOR-DEPOSITION  OPTICAL-PROPERTIES  THERMAL EVAPORATION  FIELD-EMISSION  NANOWIRES  NANORODS  MECHANISM  ARRAYS   Structure and visible luminescence of ZnO nanoparticles 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 156-159 Peng WQ (Peng W. Q.); Qu SC (Qu S. C.); Cong GW (Cong G. W.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 nanoparticles  semiconducting materials  photoluminescence  PHOTOLUMINESCENCE  NANOCRYSTALS   Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850 Jiao YH (Jiao Y. H.); Wu J (Wu J.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Hu LJ (Hu L. J.); Liang LY (Liang L. Y.); Ren YY (Ren Y. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  QUANTUM-DOTS  SELF-ORGANIZATION  ISLANDS  NANOSTRUCTURES  SUPERLATTICES  GROWTH  SURFACE  GAAS(100)   Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots 期刊论文 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 606-610 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2010/04/11 nanostructures  semiconductors  optical properties  luminescence  WAVELENGTH  NANOSTRUCTURES  INTERBAND  LASERS   Photoluminesfcence of Er-doped SiO2 films containing Si nanocrystals and Er 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 10-15 Chen CY; Chen WD; Song SF; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：441/2  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  chemical vapor deposition processes  nanomaterials  semiconducting materials  SILICON NANOCRYSTALS  LUMINESCENCE  EXCITATION   Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials 会议论文 11th seoul international symposium on the physics of semiconductors and applications, seoul, south korea, aug 20-23, 2002 Wang X; Chen M; Chen J; Wang X; Dong YN; Liu XH; He P; Tian LL; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 SOI  nanostructure  microelectronic materials   Point defects in III-V compound semiconductors 期刊论文 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93 Chen N 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 compound semiconductors  point defects  deep level centres  stoichiometry  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS SINGLE-CRYSTALS  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  SEMI-INSULATING GAAS  ELECTRICAL-PROPERTIES  LATTICE-PARAMETER  NATIVE DEFECTS  CARBON  DIFFRACTOMETER  STOICHIOMETRY