QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single Neutral Excitons Confined in AsBr3 In Situ Etched In GaAs Quantum Rings 期刊论文 journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57 Ding F; Li B; Akopian N; Perinetti U; Chen YH; Peeters FM; Rastelli A; Zwiller V; Schmidt OG 收藏  |  浏览/下载：71/5  |  提交时间：2011/07/05 Quantum Ring  Quantum Dot  Neutral Exciton  Aharonov Bohm Effect  Gate Controlled  Selective Etching  ENERGY-SPECTRA   Electric-tunable magneto resistance effect in a two-dimensional electron gas modulated by hybrid magnetic-electric barrier nanostructure 期刊论文 physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 22, 页码: 1983-1987 作者:  Zhang XW;  Wang Y;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：125/57  |  提交时间：2010/03/08 Magnetic-electric barrier  Ballistic transport  Magnetoresistance   Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD 期刊论文 microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 Ran JX; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Li JP; Wang CM; Zeng YP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Mg memory effect  redistribution  AlGaN/GaN HBTs  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  FABRICATION   A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1557-1561 Luo Weijun; Chen Xiaojuan; Liang Xiaoxin; Ma Xiaolin; Liu Xinyu; Wang Xiaoliang 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 Gao F; Huang DD; Li JP; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：149/5  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconducting gegermanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  heterojunction semiconductor devices  POWER   Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：70/14  |  提交时间：2010/08/12 n-type doping  p-type doping  Si/SiGe  HBT  GSMBE  SI   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2010/08/12 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain  SI