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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311 作者:  Xu B;  Zhou GY;  Ye XL;  Zhang HY 收藏  |  浏览/下载：54/5  |  提交时间：2011/07/05 SELF-ORGANIZED ISLANDS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACES  EMISSION  DENSITY  SIZE   High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279 Wu MF; Zhou SQ; Vantomme A; Huang Y; Wang H; Yang H 收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION  BAND-GAP  EPITAXIAL LAYERS  INDIUM NITRIDE  HEXAGONAL INN  CUBIC INN  GROWTH  PARAMETERS  INGAN  PHASE   LIQUID-PHASE EPITAXY GROWTH AND PROPERTIES OF GAINASSB/ALGAASSB/GASB HETEROSTRUCTURES 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1991, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 1343-1347 GONG XY; YANG BH; MA YD; GAO FS; YU Y; HAN WJ; LUI XF; XI JY; WANG ZG; LIN LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 ROOM-TEMPERATURE OPERATION  ALLOY COMPOSITION  WAVELENGTH RANGE  LATTICE-CONSTANT  LASERS  GASB  GAINASSB  BANDGAP