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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Luminous efficacy and color rendering index of high power white LEDs packaged by using red phosphor 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 1, 页码: 014011-1-014011-3 作者:  Lu Pengzhi;  Yang Hua 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/08/16 High-power quantum dot superluminescent diode with integrated optical amplifier section 期刊论文 electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1191- Wang, ZC; Jin, P; Lv, XQ; Li, XK; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  SPECTRUM   Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108 Wang B; Li ZC; Yao R; Liang M; Yan FW; Wang GH 收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/05 GaN-based  LED  Al composition  electron blocking layer  TEMPERATURE  ALLOYS  MOVPE   Improving light extraction of InGaN-based light emitting diodes with a roughened p-GaN surface using CsCl nano-islands 期刊论文 optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 1065-1071 作者:  Wei TB 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/05 OUTPUT  ENHANCEMENT   High-power quantum-dot superluminescent LED with broadband drive current insensitive emission spectra using a tapered active region 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2008, 卷号: 20, 期号: 40068, 页码: 782-784 Zhang, ZY; Hogg, RA; Jin, P; Choi, TL; Xu, B; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：95/1  |  提交时间：2010/03/08 molecular beam epitaxy (MBE)  quantum dots (QDs)  superlumineseent light-emitting diodes (SLEDs)   Combined transparent electrodes for high power GaN-based LEDs with long life time 会议论文 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 Wang, LC; Yi, XY; Wang, XD; Wang, GH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/09 LIGHT-EMITTING-DIODES  EFFICIENCY   A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  quantum dots  strain  molecular beam epitaxy  superluminescent diodes  1.3 MU-M  HIGH-POWER  INTEGRATED ABSORBER  INAS ISLANDS  SPECTRUM  WINDOW  LAYER  SIZE