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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A geometrical model of GaN morphology in initial growth stage 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 115-120 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：79/8  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  crystal morphology  atomic force microscopy  nitrides  AIN BUFFER LAYER  SAPPHIRE   INFLUENCE OF THE 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION CORE STRUCTURE IN SILICON ON ENERGY-LEVELS 期刊论文 solid state communications, 1994, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 301-305 MARKLUND S; WANG YL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRON-STATES  DEFECTS