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科研机构
半导体研究所 [11]
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期刊论文 [11]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [2]
2004 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题:半导体材料
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Dependence of the electrical and optical properties on growth interruption in AlAs/In(0.53)Ga(0.47)As/InAs resonant tunneling diodes
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 6, 页码: 603
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Guan M (Guan Min)
;
Liu XF (Liu Xingfang)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/02/22
Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 503-506
Yu, LK
;
Xu, B
;
Wang, ZG
;
Jin, P
;
Zhao, C
;
Lei, W
;
Sun, J
;
Hu, LJ
收藏
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浏览/下载:24/1
  |  
提交时间:2010/03/08
growth interruption
in segregation
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum dots
Zn-doped InGaAs Base Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
semiconductor photonics and technology, 2007, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 215-217
LIN Tao
;
CAI Daomin
;
LI Xianjie
;
JIANG Li
;
ZHANG Guangze
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210
作者:
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
growth interruption
in segregation
surface oxide
molecular beam epitaxy
quantum dots
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYER
SHAPE
SIZE
Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338
作者:
Zhang Y
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
resonant tunnelling diode
InP substrate
molecular beam epitaxy
high resolution transmission electron microscope
CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS
INTRINSIC BISTABILITY
CIRCUIT
The fabrication and properties of InAs/GaAs columnal islands
期刊论文
acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 301-305
Zhu TW
;
Bo X
;
Jun H
;
Zhao FA
;
Zhang CL
;
Xie EQ
;
Liu FQ
;
Wang ZG
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浏览/下载:51/17
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提交时间:2010/03/09
InAs/GaAs columnal islands
Abnormal effect of growth interruption on GaSb quantum dots formation grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 99-104
Luo XD
;
Xu ZY
;
Wang YQ
;
Wang WX
;
Wang JN
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
growth interruption
molecular beam epitaxy
quantum dots
GaSb
WELLS
Uniformity enhancement of the self-organized InAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 372-375
Zhu HJ
;
Wang ZM
;
Wang H
;
Cui LQ
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
THRESHOLD
GROWTH
LASER
Effects of growth interruption on self-assembled InAs/GaAs islands
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 97-101
作者:
Han PD
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs
islands
MBE
PL
growth interruption
ORGANIZATION
TRANSITION
GAAS
QUANTUM
GROWTH INTERRUPTION INDUCED INTERFACE MICROROUGHNESS IN SINGLE QUANTUM-WELLS
期刊论文
journal of crystal growth, 1995, 卷号: 155, 期号: 0, 页码: 272-275
LUO CP
;
CHIN MK
;
YUAN Z
;
XU ZY
;
YANG XP
;
ZHANG PH
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/17
SEMICONDUCTOR INTERFACES
ROUGHNESS SCATTERING
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