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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Microstructure and electrical properties of Y(NO(3))(3)center dot 6H(2)O-doped ZnO-Bi(2)O(3)-based varistor ceramics 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 38, 页码: 9312-9317 Xu D; Cheng XN; Yuan HM; Yang J; Lin YH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 ZNO-BASED VARISTORS  ZNO-PR6O11-BASED VARISTORS  SINTERING TEMPERATURE  DIELECTRIC-PROPERTIES  BI2O3 VAPORIZATION  RELEVANT PARAMETER  COOLING RATE  STABILITY  VOLTAGE  OXIDE   Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots 期刊论文 electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/04/11 SEMICONDUCTOR-DEVICES  TRANSPORT  STATES  BISTABILITY  VOLTAGE  LASERS  DIODE   In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 会议论文 10th international conference on metalorganic vapor phase epitaxy (icmovpe-x), sapporo, japan, jun 05-09, 2000 Lu DC; Wang CX; Yuan HR; Liu XL; Wang XH 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 GaN  annealing treatment  In-doping  MOVPE  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE