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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278 Sun GS (Sun G. S.); Liu XF (Liu X. F.); Gong QC (Gong Q. C.); Wang L (Wang L.); Zhao WS (Zhao W. S.); Li JY (Li J. Y.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Li JM (Li J. M.) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/04/11 4H-SiC  homoepitaxial layers  surface morphological defect  optical microscopy  SILICON-CARBIDE  DISLOCATIONS  FILMS   Ordering growth of InAs quantum dots on ultra-thin InGaAs strained layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 60-64 Zhang, CL; Wang, ZG; Zhao, FA; Xu, B; Jin, P 收藏  |  浏览/下载：212/52  |  提交时间：2010/03/09 line defects   Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：77/2  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  ELECTRON-PHONON INTERACTIONS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  CARRIER TRANSFER  INAS  GAAS  LASERS  ISLANDS  GROWTH  GAIN   ELECTRON-STATES OF A STACKING-FAULT RIBBON IN SILICON 期刊论文 solid state communications, 1994, 卷号: 92, 期号: 12, 页码: 987-989 LEHTO N; MARKLUND S; WANG YL 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/15 DISLOCATIONS  GERMANIUM  DISSOCIATION  ENERGY