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半导体研究所 [68]
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期刊论文 [59]
会议论文 [9]
发表日期
2012 [2]
2011 [3]
2010 [1]
2009 [2]
2008 [1]
2007 [3]
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学科主题
半导体材料 [68]
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学科主题:半导体材料
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Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: 082101
Liu, Guipeng
;
Wu, Ju
;
Zhao, Guijuan
;
Liu, Shuman
;
Mao, Wei
;
Hao, Yue
;
Liu, Changbo
;
Yang, Shaoyan
;
Liu, Xianglin
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/05/07
Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: 82101
Liu, GP
;
Wu, J
;
Zhao, GJ
;
Liu, SM
;
Mao, W
;
Hao, Y
;
Liu, CB
;
Yang, SY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/03/17
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:84/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
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浏览/下载:41/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/12/28
Gallium Arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/Aluminum antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
VAPOR-PHASE EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
TEMPERATURE
RELAXATION
DETECTORS
GAAS(001)
MOCVD
FILMS
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
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浏览/下载:236/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
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浏览/下载:73/3
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
Hillocks and hexagonal pits in a thick film grown by HVPE
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1556-1559
作者:
Duan RF
;
Wei TB
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浏览/下载:298/42
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提交时间:2010/03/08
GaN
HVPE
Hillocks
Pits
Cathodoluminescence
The influence of AlN/GaN superlattice intermediate layer on the properties of GaN grown on Si(111) substrates
期刊论文
chinese physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 5, 页码: 1467-1471
Liu Z (Liu Zhe)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Wang JX (Wang Jun-Xi)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Guo LC (Guo Lun-Chun)
;
Li JM (Li Jin-Min)
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/03/29
GaN
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